[发明专利]光刻掩膜版中曝光图形的确定方法、系统及制作方法在审
| 申请号： | 202310816659.3 | 申请日： | 2023-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN116540507A | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 罗丁硕 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 汪凡 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光刻掩膜版中曝光图形的确定方法、系统及制作方法。该方法包括：获取第一光刻掩膜版中第一图形区域的第一位置信息，第一图形区域包括多个第一曝光图形，用于在第一材料层上形成第一对位标记；获取第二图形区域在第二光刻掩膜版中的第二位置信息，第二图形区域包括多个第二曝光图形，用于在第二材料层上形成第二对位标记，第一对位标记与第二对位标记在目标基体的垂直投影不重叠；至少根据第一位置信息和第二位置信息，确定第三图形区域在第三光刻掩膜版中的目标位置信息，第三光刻掩膜版用于通过第三图形区域同时与第一对位标记和第二对位标记对位，第三图形区域包括多个第三曝光图形，用于在第三材料层上形成第三对位标记。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 掩膜版中 曝光 图形 确定 方法 系统 制作方法 | ||
【主权项】：
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