[实用新型]硅片镀膜装置及电池片生产系统有效
申请号: | 202320551552.6 | 申请日: | 2023-03-16 |
公开(公告)号: | CN219603684U | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
发明(设计)人: | 李开典;徐磊 | 申请(专利权)人: | 通威太阳能(安徽)有限公司 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/54;C23C16/24;C23C16/44;H01L31/18;H01L31/04 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 别亮亮 |
地址: | 230031 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种硅片镀膜装置及电池片生产系统,由于载具处理机构位于所述下料位置远离所述镀膜腔的一侧,即处理腔与镀膜腔为不同的腔室,从而能够分别对镀膜腔的内壁进行清理以及对载具进行清理,而且,对镀膜腔的内壁进行清理后即可进行产线的运转而将载具的清理单独通过载具处理机构进行,占用的生产时间大大减少,保证生产效率。同时,只需在进行镀膜腔的内壁清理时进行反应气体的通入,反应气体在镀膜腔内的用量少,不会或极少在镀膜腔内残留,不会对镀膜腔造成污染,保证产品的电流效率。 | ||
搜索关键词: | 硅片 镀膜 装置 电池 生产 系统 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的