[发明专利]气载掺杂剂掺杂非晶硅方法无效
| 申请号： | 85100512.8 | 申请日： | 1985-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN1007563B | 公开（公告）日： | 1990-04-11 |
| 发明（设计）人： | 吴宗炎;沈月华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人： | 潘振苏 |
| 地址： | 上海市长宁*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于非晶硅的掺杂方法，现有的用于非晶硅掺杂的气体掺杂剂仅为磷烷、硼烷、砷烷三种，不仅种类少而且毒性极大，纯化困难，制备出的材料缺陷态高，本发明提供的一种气载掺杂剂掺杂非晶硅方法，是用周期表中III-V族元素的单质或化合物为掺杂剂，以净化过的氢气或氦气或氩气为载体流过经加热汽化掺杂剂与SiH4混合，在反应室内反应而生成掺杂非晶硅，具有毒性小，掺杂材料缺陷态密度低，光电导增加等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 非晶硅 方法 | ||
【主权项】：
1.一种掺杂非晶硅方法，包括掺杂剂与硅烷混合，在反应室内高频辉光放电或CVD测射或蒸发等过程，其特征在于用周期表中III、IV、V族元素的单质或化合物为掺杂剂，放在石英瓶中加热到汽化温度，用净化过气体为载体与SiH，反应而生成掺杂非晶硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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