[其他]磷酸氧钛钾单晶的熔盐生长方法和有关装置无效
| 申请号： | 85100836 | 申请日： | 1985-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN85100836B | 公开（公告）日： | 1988-07-20 |
| 发明（设计）人： | 沈德忠;黄朝恩 | 申请（专利权）人： | 国家建筑材料工业局人工晶体研究所 |
| 主分类号： | C30B29/14 | 分类号： | C30B29/14;C30B9/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | KTP单晶的熔盐生长方法，是一种非线性光学晶体磷酸氧钛钾(KTiOPO4，简称KTP)的生长方法。本发明采用KTiOPO4化合物为原料、多磷酸钾为熔剂生长KTP单晶的熔盐生长法。介绍了晶体生长所需要的装置和必要的参数，指出KTiO-PO4化合物和多磷酸钾的重量比为1∶19～2∶3之间，生长条件是先升温至950°～1100℃，然后降温至920°～800℃，并使熔体产生相对运动，保持0.5°～5℃/cm的温度梯度，生长周期为10～60天，能长出最大为13×20×15mm3的KTP单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 磷酸 氧钛钾单晶 生长 方法 有关 装置 | ||
【主权项】：
1.一种KTP单晶的熔盐生长方法，以磷酸氧钛钾化合物为原料，多磷酸钾盐为熔剂，两者按1∶19～2∶3的比例混匀，装入敞口的铂金坩埚，在950°～1100℃下熔融并均化，然后以10°～30℃/小时的速度降至结晶温度，恒温5～50小时，使坩埚旋转并将冷却杆与坩埚底部中心接触，将预置于熔体液面上方的籽晶插到熔体底部，同时向冷却杆通入冷却介质进行晶体生长，在生长的整个过程中，熔体以0.5°～5℃/天的速度降温，并保持0.5～5℃/cm的温度梯度，其特征在于使用压缩氮气作为冷却介质，冷却杆与埚底接触面的直径不大于2mm，籽晶杆是用包铂箔的带孔氧化铝陶瓷杆。
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