[其他]制造半导体集成电路的隔离方法无效
| 申请号： | 85100998 | 申请日： | 1985-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN85100998A | 公开（公告）日： | 1986-07-30 |
| 发明（设计）人： | 张桂霞 | 申请（专利权）人： | 北京电子一厂 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京电子管厂科技部新品开发室代理组 | 代理人： | 王蕴,袁兆南 |
| 地址： | 北京东*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种制造半导体集成电路的隔离方法，特别是应用反向扩散制造超高频电路的隔离方法。其特征是杂质在衬底和外延层之间，由下至上进行反向扩散，形成P-N结隔离。该方法较常规P-N结隔离方法简单，隔离效果好，成本低。能使电路管芯面积成倍缩小，从而提高集成度和频率。利用本发明可以很容易地制造出超高频双极型线性电路。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 集成电路 隔离 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体集成电路的隔离方法是在P-Si衬底上做n+埋层扩散，再做N型外延生长，然后做P+隔离扩散，使杂质由外延层上向外延层下扩散，达到隔离目的。本方法的特征是做N型外延之前，先做P+杂质予隔离扩散。外延之后做氧化，在氧化过程中，同时达到隔离目的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
