[发明专利]动态随机存取存贮器单元(dram)和生产方法无效
| 申请号： | 85103376.8 | 申请日： | 1985-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN1004734B | 公开（公告）日： | 1989-07-05 |
| 发明（设计）人： | 查特基;马利;理查森 | 申请（专利权）人： | 得克萨斯仪器公司 |
| 主分类号： | H01L27/08 | 分类号： | H01L27/08;H01L29/76;H01L21/283 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 李先春 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 这里揭示的是动态随机存取贮器(dRAM)单元和单元阵列，连同它们的生产方法，单元包括一个场效应管，一个在衬底的沟内形成的贮能电容器和在衬底上用外延生长法形成的场效应管子沟道。场效应管的源极和漏极同衬底绝缘。管子应该靠近沟或在沟侧壁的上半部分。信号电荷贮存在与衬底绝缘的电容器的板极上。 | ||
| 搜索关键词： | 动态 随机存取 存贮器 单元 dram 生产 方法 | ||
【主权项】：
1.一半导体存贮单元，包括：—在其上形成有一沟槽的衬底；—具有一沟道的场效应晶体管，所述沟道被置于可提供沿所述沟槽的壁流动的沟道电流；和基本与所述衬底绝缘的在所述沟槽中的一存贮结点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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