[其他]在量子阱器件中的磷势垒和高磷多磷化合物势垒无效
| 申请号： | 85104043 | 申请日： | 1985-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN85104043A | 公开（公告）日： | 1986-11-26 |
| 发明（设计）人： | 迪戈丁·奥莱戈 | 申请（专利权）人： | 斯托弗化学公司 |
| 主分类号： | H01L29/02 | 分类号： | H01L29/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 陈景峻,肖春京 |
| 地址： | 美国纽约*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 磷和多磷化合物MPX和许多常用的二族、三族和四族半导体材料相比，有更大的能带间隙，且与半导体材料之间具有良好的界面特性。其中M是一种碱金属，X的范围由15至无穷大，P为磷。磷和这些多磷化合物的薄层常用作量子阱器件中的势垒，特别是那些采用由磷元素构成半导体薄层的量子阱器件中。磷是优先选用的一种势垒层，它可以是单斜晶磷、红磷或是具有层状、折皱片状局部排列顺序的非晶态磷。量子阱器件和异质结器件已被开发，用于场效应器件中。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 器件 中的 磷势垒 高磷多 磷化 合物势垒 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，其组成为：A)包含一种金属间化合物半导体的半导体材料层，B)与上述半导体层相邻的第一势垒层；该势垒层包含有磷元素。
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