[发明专利]高密度互补型金属氧化物半导体集成电路制造工艺无效
| 申请号： | 85108372.2 | 申请日： | 1985-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN1007476B | 公开（公告）日： | 1990-04-04 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特R·道尔林;迈克尔P·德奈;格雷戈里J·阿姆斯特朗 | 申请（专利权）人： | 得克萨斯仪器公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/265;H01L21/82;H01L27/04 |
| 代理公司： | 上海专利事务所 | 代理人： | 吴淑芳 |
| 地址： | 美国得克萨斯州75265达*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种利用最少数量光掩膜板的双阱互补型金属氧化物半导体工艺来制造诸如动态读写存贮器等的半导体器件。在氮化物构成的凹口里形成场氧化物隔离区，因而提供一个比较平坦的表面，并且使产生的侵蚀最少。用硅化、离子注入、源极/漏极区、对栅的自对准、在侧壁氧化层安置好后使用一种注入物、提供轻掺杂的漏极来构成P沟和N沟晶体管。P沟和N沟晶体管的阈值电压是通过区槽注入，而不是通过对于阈值电压调整的分离离子注入步骤来建立的。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 互补 金属 氧化物 半导体 集成电路 制造 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种制造互补型金属氧化物半导体双阱半导体器件的方法，其中，N和P杂质注入并驱入所选定的半导体一表面区域，从而形成N和P阱区，其后，在所述P和N阱区各自的栅极上自对准地形成N和P沟器件的源极和漏极，其特征在于，分别控制所述N和P杂质，以建立所述随后形成的N和P沟器件的阀值电压，而不需要附加的阀值调整杂质注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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