[其他]电子器件及其制造方法无效
| 申请号： | 85109696 | 申请日： | 1985-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN85109696A | 公开（公告）日： | 1986-07-16 |
| 发明（设计）人： | 间濑晃;小沼利光;坂间光范;犬岛乔;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L29/86;H01L21/64;H01L21/31;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 刘晖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在透光的绝缘衬底上形成一层制有图形的不透光的导电层或半导体层部分，再用一个绝缘层围住上述层部分，使绝缘层的厚度与导电层或半导体层部分的厚度相同，但不要使绝缘层覆盖住上述层部分。形成绝缘层的方法如下在有导电层或半导体层部分的整个衬底上形成一层光敏有机树脂。在此例中，使有机树脂漫延到层部分上面，然后，从衬底那一侧对有机树脂层曝光，并进行显影和热处理等工艺，最后形成上述绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种电子器件包括：一个带绝缘表面的衬底；在衬底上形成一个层部分，并有制成图形的导电层或半导电层；其中在衬底上形成一层绝缘层围绕上述层部分，并与该层部分的侧面接触，但不漫延到该层部分的顶部表面。
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