[其他]双极晶体管无效
| 申请号： | 86100558 | 申请日： | 1986-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN1003334B | 公开（公告）日： | 1989-02-15 |
| 发明（设计）人： | 田端辉夫 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 马连富;许新根 |
| 地址： | 日本大阪府守*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明的双极晶体管具有以下构成：Ｐ型半导体衬底、在衬底的表面层部分区域上形成的Ｎ |
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| 搜索关键词： | 双极晶体管 | ||
【主权项】：
1、一种双极晶体管，它包括：第1导电型的半导体衬底、在上述衬底的表面层部分区域上形成的第2导电型的高浓度内埋层、复盖上述衬底的整个表面并埋置上述内埋层的第2导电型的外延层、包围上述内埋层并从上述外延层的表面贯通至衬底的第1导电型的高浓度隔离区、被上述隔离区包围而分隔成岛状的并由上述外延层构成的第2导电型的集电区、在上述集电区的表面层部分区域上形成的第1导电型的基区和在上述基区的表面层部分区域上形成的第2导电型的高浓度发射区，其特征在于在除上述基区以外的上述集电区的表面层上，形成第2导电型的高浓度的第1区域，从而使上述基区与上述隔离区的间隔距离缩小。
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