[其他]减少双极器件的管道漏电和表面漏电的方法

摘要

本发明提供一种简便易行的减少半导体器件的管道漏电流和表面漏电流的方法。本发明所提供的方法利用离子注入吸杂技术，在半导体基区表面附近的局部区域内和发射区表面附近的局部区域内形成远离eb结的吸杂缺陷。采用本发明所提供的方法不仅能有效地减少管道漏电和表面漏电，改善器件的性能，提高成品率，而且工艺简便，有利于降低成本。

主权项

1.一种先形成半导体器件的基区，然后利用高能离子透过基区表面热氧化形成的SiO2层：在基区表面附近的基区接触的局部区域内和随后要形成发射区的局部区域内形成吸杂缺陷，随后形成所说发射区的利用离子注入吸杂技术减少管道漏电流和表面漏电流的制造半导体器件的方法，其特征在于进行离子注入形成吸杂缺陷[9]之前，在基区扩散中形成的SiO2层[5]上刻出保留一薄层所说SiO2层[5]的面积小于发射区[11]的小基区窗口[7]，其余部分保留光刻胶[6]。