[其他]具有能在集成电路中集成的霍耳元件的装置无效
申请号: | 86103480 | 申请日: | 1986-05-21 |
公开(公告)号: | CN86103480B | 公开(公告)日: | 1988-10-19 |
发明(设计)人: | 波波维克·拉迪沃耶;索尔特·卡塔林;伯奇尔·詹露克 | 申请(专利权)人: | 兰迪斯·吉尔楚格股份公司 |
主分类号: | H01L27/22 | 分类号: | H01L27/22;H01L29/82;H01L29/96;H01L43/06 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 瑞士楚格*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 集成在半导体材料中的霍耳元件(1),其有源区被具有连接头(R)的环包围,其输出(S1)经控制电路(24、25、26、27)与(R)相连。所述控制电路和环用于保证(1)的时间及温度稳定性和线性,前者包括实测值处理器(24)、额定值发生器(25)和额定值/实测值微分器(26、27),(26、27)由差分放大器(26)和反相放大器(27)串联组成。(24)是绝对值发生器,它具有控制器(28)、转换器(29)、反相放大器(30)和电压跟踪器(31)。(1)由电流发生器(23)供电。 | ||
搜索关键词: | 具有 集成电路 集成 元件 装置 | ||
【主权项】:
1.具有一个在集成电路中可集成的霍耳元件的装置,它具有两个传感器连接触点和至少两个电流连接触点,它们大部分被设置在霍耳元件的上表面上,这个霍耳元件的有源区至少在侧面被一个环所包围,环具有一个环连接头,组成环的材料类型与组成霍耳元件有源区和连接触点的材料类型相反,其特征在于,霍耳元件(1)被埋入半导体材料的内部,环(8)被盖板(9)和底板(10)扩大,以致于扩大的环(8、9、10或11)从所有方向上包围霍耳元件(1)的有源区(7),霍耳元件(1)的传感器、和电流连接触点(2或6),穿过盖板(9)和底板(10)直到和霍耳元件(1)的有源区(7)发生电接触,环(8)、盖板(9)和底板(10)由相同类型的材料组成,它们彼此之间都发生电接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的