[发明专利]“晶体管-晶体管逻辑到互补型金属-氧化物-半导体”的输入缓冲器无效

专利信息
申请号: 86103513.5 申请日: 1986-05-24
公开(公告)号: CN1005674B 公开(公告)日: 1989-11-01
发明(设计)人: 霍瓦德·克雷顿·基施 申请(专利权)人: 美国电话电报公司
主分类号: H03K17/60 分类号: H03K17/60
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利代理部 代理人: 陆丽英
地址: 美国纽约州*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种TTL到CMOS输入缓冲器,当TIL输入信号是相当低的逻辑1时,该缓冲器能阻止静态电流流过。突变检测器对TTL逻辑输入信号起作用,连通在正电源VDD和CMOS第一变换器(30)的输入端之间的电压提升电路,检测输入信号从“0”到“1”的突变,并把TTL逻辑1信号提升到能阻止CMOS变换器中的P沟道晶件管(32)导通的电平。然后,电压提升电路与此管的输入端断开,使此输入端不被正电流充电。
搜索关键词: 晶体管 逻辑 互补 金属 氧化物 半导体 输入 缓冲器
【主权项】:
1.一种“TTL到CMOS”的输入缓冲器,用来接收一种具有相联的TTL电压电平的第一(“0”)和第二(“1”)逻辑状态之一的输入信号,提供相联的CMOS电压电平的相应输出逻辑信号,它包括:CMOS第一变换器(30),它对上述TTL输入逻辑信号起作用,产生相反逻辑状态的第一CMOS逻辑信号作为输出信号;CMOS第二变换器(38),它对上述CMOS第一变换器产生的第一CMOS逻辑信号起作用,提供一个与上述TTL输入逻辑信号的逻辑状态相同的第二CMOS逻辑信号作为输出信号;其特征在于:突变检测器(44),它对上述TTL输入逻辑信号和第二CMOS逻辑信号两者起作用,产生一个突变输出控制信号作为输出信号;和电压提升装置(50),它对上述第二CMOS逻辑信号和上述突变输出控制信号起作用,当上述TTL输入逻辑信号从第一逻辑状态变成第二逻辑状态时,在上述第一CMOS变换器的输入端提供一个增压信号。
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