[其他]高清晰阳极化的内层界面无效
| 申请号： | 86107669 | 申请日： | 1986-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN86107669A | 公开（公告）日： | 1987-07-15 |
| 发明（设计）人： | 埃尔顿·杰·佐伦斯基;大卫·彼·斯布莱特 | 申请（专利权）人： | 得克萨斯仪器公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/76 |
| 代理公司： | 上海专利事务所 | 代理人： | 曹磊 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体结构在半导体岛区(54)和隔离内层(50)之间具有渡越厚度小于1500埃的高清晰度界面。为了生成这种结构，在复合外延层(54)和N+内层(50)上开槽(62)。内层(50)被在高压和低温条件下阳极化和氧化处理，以减少N+杂质的上扩散进入外延层(54)。 | ||
| 搜索关键词： | 清晰 阳极 内层 界面 | ||
【主权项】：
1、一种制造硅半导体结构的方法，包括下列各步骤；在基片上生成可进行选择的可阳极氧化的材料层；在上述可进行阳极氧化层上生成一外延层；阳极氧化处理可阳极氧化层以生成多孔材料；通过将该结构处在高压和低温氧化处理环境下进行氧化处理上述的多孔材料，使上述的多孔层在杂质扩散进入外延层之前氧化处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
