[其他]垂直倒相器电路

摘要

本发明实施例中包括一种垂直倒相器(31，32，33)。在一块N型衬底的表面，形成一层P型材料层，再依次形成一层N型层；一层P型层；一层N型和一层P型层(在制备过程中，可以掺各种不同的杂质，这并不超出本发明的范畴)。再沿着以上述方法形成的叠层的一侧蚀刻一条沟槽，在P型和N型层的中间形成一接线端。再形成另一沟槽，其中有一栅极绝缘体和一栅极(A，B)。该栅极作为以上述方法形成的N型沟道和P型沟道晶体管的栅极。

主权项

1、一种集成电路电子器件，本发明的特征在于，该器件包括：一个第一导电类型的衬底；一个第二导电类型的第一沟道层，沟道层形成在所述衬底的表面；一个所述第一导电类型的第一漏极层，此漏极层形成在所述第一沟道的层表面；一个所述第二导电类型的第二漏极层，此漏极层形成在所述第一漏极层的表面；一个所述第一导电类型的第二沟道层，此沟道层形成在所述第二漏极的层表面；一个所述第二导电类型的源极层，此源极层形成在所述第二沟道层的表面；一个导电的栅极，垂直地布置在一个和所述第一和第二沟道层，所述第一和第二漏极层以及所述源极层的平面相垂直的边缘上，并和这些层相邻，其中所述栅极与所述层之间互相绝缘；一个导电区与所述第一和第二漏极层相连接。