[其他]高能量γ射线刻度源装置无效
| 申请号： | 86204889 | 申请日： | 1986-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN86204889U | 公开（公告）日： | 1987-06-24 |
| 发明（设计）人： | 叶宗垣;李景文;跃钢;施德棠 | 申请（专利权）人： | 中国原子能科学研究院 |
| 主分类号： | G01T3/00 | 分类号： | G01T3/00 |
| 代理公司： | 核工业部专利法律事务所 | 代理人： | 吴景夏 |
| 地址： | 北京二*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种高能量γ射线刻度源装置。它是利用Am-Be等放射性中子源，经过慢化，在铁、镍和二氯化镁辐射样品上产生热中子俘获反应获得能量在5～10MeV的单色γ射线，用以刻度Ge(Li)，HPGe和NaI(Tl)等γ射线探测器的能量线性、能量分辨以及相对效率。 | ||
| 搜索关键词： | 高能量 射线 刻度 装置 | ||
【主权项】：
1、一种高能量γ射线刻度源装置，由中子源、慢化层、辐射体组成，其特征在于利用放射性中子源，经慢化层慢化为热中子与辐射体引起热中子俘获产生单色特征γ射线，用于刻度γ射线探测器。
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