[其他]硫化铅多晶薄膜的激光敏化方法无效
| 申请号： | 87102141 | 申请日： | 1987-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN87102141A | 公开（公告）日： | 1988-10-12 |
| 发明（设计）人： | 孙维国;胡荣武 | 申请（专利权）人： | 航空工业部第014中心 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01G9/20;G01J5/10 |
| 代理公司： | 航天工业部专利事务所 | 代理人： | 马国祥,王淑慈 |
| 地址： | 河南洛阳*** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是关于PbS多晶薄膜红外探测器制造工艺中的一种敏化方法，为解决敏化条件难掌握，重复性差等技术问题，我们采用激光照射代替管式高温炉。该方法敏化速度快(约一分钟左右一片)成品率高，敏化过程中可直接控制敏化情况，该方法为PbS多晶薄膜红外探测器的制造提高了较好的敏化手段，敏化后器件的各性能参数与高温法做的器件比相当。 | ||
| 搜索关键词： | 硫化铅 多晶 薄膜 激光 方法 | ||
【主权项】：
1、一种关于PbS红外光敏元件敏化工艺方法，包括在玻璃衬底上沉淀一层PbS薄膜，其特征在于，采取激光照射的方法做为敏化手段。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于航空工业部第014中心，未经航空工业部第014中心许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/87102141/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：活塞式内燃机补气法及其装置
- 下一篇：水稻正三角形栽培法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
