[其他]自生耗损研磨无效
| 申请号： | 87103890 | 申请日： | 1987-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN87103890A | 公开（公告）日： | 1988-03-02 |
| 发明（设计）人： | 沃尔夫冈·D·G·伯克;塔多伊斯兹·M·科泽克瓦 | 申请（专利权）人： | 斯坦科尔公司 |
| 主分类号： | B02C17/16 | 分类号： | B02C17/16;B02C17/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 魏金玺,罗才希 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 将碳化硅研磨成亚微米级粉末的一种方法，包括在有碳化硅研磨介质存在的条件下，用无杂质的高能自生耗损研磨机将平均粒度介于1和200微米的碳化硅稀浆料研磨足够时间，得到比表面至少为5平方米/克，最好时至少为9平方米/克的粉末。研磨介质纯度高，其平均粒度小于4毫米，最好小于2.5毫米。进一步处理研磨过的物料，使其平均粒度小于1微米，成品粉末中97％以上的颗粒小于5微米，本发明包括制成的成品粉末。 | ||
| 搜索关键词： | 自生 耗损 研磨 | ||
【主权项】：
1、一种研磨碳化硅成亚微米级粉末的方法，它包括：a)在有碳化硅研磨介质存在的条件下，用无杂质的高能自生耗损研磨机将平均粒度介于1和200微米的碳化硅稀浆料研磨足够时间，得到比表面至少为5平方米/克的粉末，研磨介质纯度高，其平均粒度小于4毫米；b)进一步处理所得到的研磨材料，使其平均粒度小于1微米，成品粉末中97%以上的颗粒小于5微米。
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