[其他]反向工作的晶体管偶合逻辑无效
| 申请号： | 87106288 | 申请日： | 1987-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN87106288A | 公开（公告）日： | 1988-03-16 |
| 发明（设计）人： | 张崇玖 | 申请（专利权）人： | 张崇玖 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/70;H03K19/08 |
| 代理公司： | 江苏省南通市专利服务部 | 代理人： | 左一平 |
| 地址： | 江苏省南通市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 反向工作的晶体管偶合逻辑电路，采用多晶肖特基或多晶二极管输入和多晶硅电阻或漏栅共接的多晶硅MOS，栅接地的多晶硅MOS作为负载，制作上采用等平面V形槽，垂直槽和空气隔离工艺，广泛采用自对准工艺，减少扩散和套刻次数，使晶体管管芯面积，结面结、结电容、Rbb，RC时间常数很小，以提高电路的速度和集成密度，同时提高了管子和电路的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 反向 工作 晶体管 偶合 逻辑 | ||
【主权项】：
1、反向工作的晶体管偶合逻辑，其特征在于：(1)采用多晶硅肖特基二极管输入；(2)采用多晶硅二极管PSD输入；(3)采用多晶硅电阻作为负载；(4)采用漏栅共接的多晶硅MOS或栅接地的多晶硅MOS作类似于CMOS的互补负载。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
