[其他]铟锡氧化物透明导电膜生产工艺无效
| 申请号： | 87107654 | 申请日： | 1987-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN87107654A | 公开（公告）日： | 1988-10-12 |
| 发明（设计）人： | 彭传才;金昭廷 | 申请（专利权）人： | 国防科学技术大学 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;C23C14/00 |
| 代理公司： | 国防科学技术大学专利办公室 | 代理人： | 盛湘饶 |
| 地址： | 湖南省长*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种铟锡氧化物透明导电膜的生产工艺。本发明涉及优质铟锡氧化物透明导电膜的制备及大规模工业性生产工艺。该生产工艺技术参数采用的组合方式，能在低温基片上快速直接获得ITO透明导电膜；采用曲线控制蒸发过程使工艺和性能的重现性达到或接近100％；采用多舟并联择优分布法以获得大面积均匀的优质ITO膜。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 透明 导电 生产工艺 | ||
【主权项】：
1、一种铟锡氧化物透明导电膜的生产工艺，其特征在于：各工艺技术参数采用如下的组合方式：铟∶锡=10∶1(重量比)基片加热温度150～200℃湿氧流量80～160mL/分反应蒸发氧压1×10-2～3×10-2托蒸发钼舟尺寸(加热部份)(5～10)mm×(8～12)mm钼舟加热温度880～920℃沉积速度300～600埃/分蒸发时间2～5分沉积周期20～25分基片与蒸发源垂直距离100～120mm基片旋转速度25转/分蒸发料总量0.2～0.3克
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