[发明专利]钨酸锌单晶体的掺锗去色工艺无效
| 申请号： | 88101014.6 | 申请日： | 1988-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN1009284B | 公开（公告）日： | 1990-08-22 |
| 发明（设计）人： | 臧竟存 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/32 | 分类号： | C30B29/32;C30B15/04 |
| 代理公司： | 北京工业大学专利代理事务所 | 代理人： | 楼艮基,张慧 |
| 地址： | 北京市东*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 钨酸锌单晶体的掺锗去色工艺属于钨酸盐系列晶体制造领域。这种工艺一般以Sb2O3、或Bi2O3或银作掺杂去色剂，其共同缺点是无法拉制出大尺寸的无色晶体。本发明的特征是以GeO2为掺杂材料，当ZnO∶WO3∶GeO2的重量比在1∶1-X∶X，X在005％～01％之间，提拉速度在1～3mm/h，旋转速率在20～30转/分，生长结束后的降温速率为150～200℃/h之间时，可得到无色的大尺寸ZnWO4晶体，发光性能略优于ZnWO4能量分辩率可达12.9％左右。 | ||
| 搜索关键词： | 钨酸锌 单晶体 掺锗去色 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种钨酸锌单晶体的掺锗去色工艺，其工艺条件为：下籽晶温度1210～1230℃，提拉速度为1～3mm/h，旋转速度为20～30转/分，它们随掺杂量减少而递增，生长结束后降温速率在150～200℃/h之间，其特征在于配比，它以GeO2为掺杂材料，ZnO∶WO3∶GeO2之重量比为100∶1-X∶X，X在0.05～0.1之间。
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