[发明专利]铌三锡高场导体的制备方法无效
| 申请号： | 88105619.7 | 申请日： | 1988-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN1013905B | 公开（公告）日： | 1991-09-11 |
| 发明（设计）人： | 何牧 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海冶金研究所 |
| 主分类号： | H01B12/00 | 分类号： | H01B12/00 |
| 代理公司： | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人： | 季良赳 |
| 地址： | 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明是铌管富锡法制备Nb3Sn高场导体方法的改进，属于超导导体的加工工艺，本发明通过同时将第三元素Ti和第四元素Mg加入到Nb材和母材中，明显改盖了Nb3Sn导体在0-20特拉斯整个实用磁场范围的载流能力。 | ||
| 搜索关键词： | 铌三锡高场 导体 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铌管富锡法制备Nb3Sn高场导体方法的改进，属于超导导体的加工工艺，它包括铜管、富锡合金及铌管或打孔铌锭的冷拉、酸洗、复合以及复合棒的冷拉，拧扭和扩散热处理工艺，本发明的特征是将Ti作为第三元素以(0.4-1.5)wt％加入到作为原料的Nb管，紫铜管、单芯挤压管的内铜套或Nb锭中，而将第四元素Mg以(0.4-1.2)wt％加入到富锡合金中，或者将第三元素Ti以(0.5-1.5)wt％加入到富锡合金中，而将第四元素Mg以(0.2-3)wt％加入到紫铜管中。
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