[发明专利]磁记录介质无效
| 申请号： | 88106996.5 | 申请日： | 1988-10-03 |
| 公开（公告）号： | CN1025254C | 公开（公告）日： | 1994-06-29 |
| 发明（设计）人： | 伊藤弘基;古白川信孝;美浓和芳文 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/72 | 分类号： | G11B5/72;C23C14/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴秉芬,马铁良 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的磁记录介质，是在磁盘基片的磁性层的表面，用离子束镀膜法来形成一个表面保护层，其材质可以是铝、硅、钛的氧化物、氮化物或炭化物，以及金刚石或炭。该表面保护层的附着强度很高，表面平滑、硬度很高，不仅具有很优良的耐磨性、耐磁头的冲击性，而且也有很好的耐湿性，由于在低温过程中形成，从而可廉价制造，品质也很稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 | ||
【主权项】：
1.一种利用离子束在磁记录介质上形成保护层的方法，所述保护层包括磁盘基片上的基底保护层和磁性层上的表面保护层，所述的各保护层是用离子化的金属和离子化的非金属形成在所述基片和/或所述磁性层上的，其特征在于，产生所述离子化金属的离子束发生源、产生所述离子化非金属离子束的气体离子束发生源和所述磁记录介质都被装于一真空室中；将所述离子束发生源产生的金属离子束和由所述气体离子束发生源产生的非金属离子束射向所述磁性层或所述基片，形成化合物保护层，其中，对气体离子和金属离子分别授与最合适的能量，从而形成高性能的保护层。
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