[发明专利]磁光记录体无效

专利信息
申请号: 88107242.7 申请日: 1988-10-17
公开(公告)号: CN1019241B 公开(公告)日: 1992-11-25
发明(设计)人: 水木邦彦;春田浩一;尾浦博一;五十岚康一;桥木英彦 申请(专利权)人: 三井石油化学工业株式会社
主分类号: G11B11/10 分类号: G11B11/10;G11B7/24
代理公司: 上海专利事务所 代理人: 王孙佳,张绮霞
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种磁光记录体包括基片、磁光记录膜(I)和反射膜(II),所说的膜层按该顺序被层压在所说的基片上,所说的磁光记录膜(I)是无定形合金的薄膜,它含有(i)至少一种含量为20-90%(原子)的3d过渡金属,(ii)5~30%(原子)的至少一种耐腐蚀金属和(iii)至少一种含量为5-50%(原子)的稀土元素,并具有与膜平面垂直的平顺磁化轴,所说的反射膜(ii)含有热导率不大于2J/cm.sec.k的金属或合金。这里所描述的记录体除了优异的磁光记录性能之外还具有优异的抗氧化性。
搜索关键词: 记录
【主权项】:
1、一种包括基片、磁光记录膜(Ⅰ)和反射膜(Ⅱ),所说的膜按此顺序被层压在所说的基片上的磁光记录体,其特征在于:所说的磁光记录膜(Ⅰ)为厚度100-600的无定形合金的薄膜,它含有(i)至少一种含量为20-90%(原子)的3d过渡金属,(ii)5~30%(原子)的至少一种耐腐蚀金属和(iii)至少一种含量为5-50%(原子)的稀土元素,并具有垂直于所说膜的平顺磁化轴;所说的反射膜(Ⅱ)厚度为100-4000,由过渡金属或过渡金属合金组成,且其热导率不高于2J/cm.sec.k。
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