[发明专利]MOS电路的保护装置无效
| 申请号： | 88108454.9 | 申请日： | 1988-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN1022148C | 公开（公告）日： | 1993-09-15 |
| 发明（设计）人： | 乌尔里克·塞里斯;伯克哈德·吉贝尔 | 申请（专利权）人： | 德国ITT工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/085 | 分类号： | H01L27/085;H01L23/62;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在本保护装置中，焊接区(P)与被保护的晶体管之间的电阻是采用扩展区(e)来实现的，扩展区完全处于焊接区(P)之下并沿扩展区的整个周边延伸出去。细长区(Z)沿扩展区(e)的周边延伸，通过互连通路(b)与电路地端相接，细长区(Z)与互连通路(b)之间是低阻连接。 | ||
| 搜索关键词： | mos 电路 保护装置 | ||
【主权项】：
1.MOS电路(绝缘栅场效应晶体管集成电路)的保护装置，该装置位于覆盖MOS电路衬底的绝缘层上面的焊接区(P)与被保护的晶体管之间，并包含相反的其它导电类型的电阻，该电阻位于衬底中，并且把焊接区连接到晶体管的端点上，其特征在于：这个电阻是一个扩展区(e)，其表面形状与焊接区(P)的形状相同，扩展区面积大于焊接区，由扩展区、最好是中心区域来支撑焊接区，并通过焊接区构成与扩展区的低阻接触；扩展区(e)至少部分边缘与具有择优最小宽度的细长区(Z、Z1、Z2)相邻，并与细长区相隔一最小间距；细长区与扩展区(e)有相同的导电类型和相同的电阻率；细长区在其表面通过与电路地端相接的互连通路(b)构成接触，在表面与互连通路b之间的连接具有低电阻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
