[发明专利]等离子体处理方法和设备无效

专利信息
申请号: 89107237.3 申请日: 1989-09-16
公开(公告)号: CN1025353C 公开(公告)日: 1994-07-06
发明(设计)人: 山崎舜平;土屋三宪;林茂则;广濑直树;石田典也;佐佐木麻里;川野笃 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: C23C16/50 分类号: C23C16/50;C23C16/26
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 肖掬昌,曹济洪
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 介绍了一种等离子体化学汽相淀积法和设备。该设备包括一真空室,真空室中设有两对电极。往其中一对电极加高频电压,以便在真空室中产生反应气体的等离子体。待涂敷的基片配置在另一对电极之间。往该另一对电极加频率较低的电压。借助于该低频电压,基片在淀积的过程中就受到等离子体的轰击。轰击的作用在于除去淀积材料较软的部分。
搜索关键词: 等离子体 处理 方法 设备
【主权项】:
1.一种等离子体处理设备,其特征在于,该设备包括:—真空室;—真空泵,连接到所述真空室,以便将所述真空室抽成真空;—气体引入系统,连接到所述真空室,以便将反应气体输入所述真空室中;—对第一电极,设在所述真空室中;—第一电压源,用以将第一高频交流电压加到所述各第一电极之间,以便将所述真空室中的反应气体转化成等离子体;—基片架,用以将所述设备要处理的基片支撑在所述各第一电极之间;至少一对第二电极,配置得使所述基片架所支撑的基片位于所述第二电极之间,和所述基片是绝缘的且和所述第二电极在空间上隔离;以及—第二电压源,用以将第二交流电压加到所述各第二电极之间,从而增强所述基片表面的溅射作用。
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