[发明专利]MOS集成电路防静电保护器无效
| 申请号： | 89107904.1 | 申请日： | 1989-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN1050950A | 公开（公告）日： | 1991-04-24 |
| 发明（设计）人： | 孙万杰 | 申请（专利权）人： | 孙万杰 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H05F3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 471711 *** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明属于电子器件。一种MOS集成电路保护器，其特征在于通过在MOS集成电路上卡附或贴附具有使MOS集成电路各脚连通功能的保护器的方法，从根本上杜绝MOS集成电路在接入电子线路前或贮藏，运动过程中因静电感应造成MOS集成电路内部击穿，结构简单，具有多次使用性，广泛适用于MOS集成电路生产厂家，科研单位，电子工作人员使用，同时可保证器件使用率达到100％。 | ||
| 搜索关键词： | mos 集成电路 静电 保护 | ||
【主权项】：
1、一种MOS集成电路防静电保护器，其特征在于所述保护器是一种自上方卡附在电路器件上的金属材料成型，或内沿具有导电层或导电材料的注塑件。或贴附形式，保护器内沿的导电体或导电材料与MOS集成电路各脚连通，使各脚同电位。
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