[发明专利]磁光记录介质

摘要

本发明提供了一种磁光记录介质，它在基体上至少具有增强膜(I)和磁光记录(II)，所述增强膜(I)是由SiO2(其中0＜X＜1.33)所表示的折射率至少为1.9的氮化硅膜所构成，而所述磁光记录膜(II)是由[Pdapt1-a]y[RExTM1-x(其中至少50原子％的RE为Tb和/或Dy，其余为Nd、Gd、Ce、Eu、Pr、Ho、Tm或Sm，TM为Fe和/或Co，且0≤a≤1，0.2≤x≤0.7和0.05≤y≤0.3)所表示的、具有垂直于膜的磁缓轴的非晶态合金膜所构成。这些磁光记录介质在其磁光记录膜(II)上可以有反射膜。

主权项

1、一种磁光记录介质在基体上至少具有一层增强膜(Ⅰ)和一层磁光记录膜(Ⅱ)，其特征在于：增强膜(Ⅰ)是由SiNx(其中0＜X＜1.33)所表示的折射率n至少为1.9的氮化硅膜所构成，而磁光记录膜(Ⅱ)具有200至5000的膜厚度是由[PdaPt1-a]y[RExTM1-x]1-y(其中至少50原子%的RE为Tb和/或Dy，其余为Nd、Gd、Ce、Eu、Pr、Ho、Tm或Sm，TM为Fe和/或Co，且0≤a≤1，0.2＜x＜0.7和0.05≤y≤0.3)所表示的并具有垂直于膜平面的易磁化轴的非晶态合金膜所构成。