[发明专利]半导体器件的制造方法在审

专利信息
申请号: 90100191.0 申请日: 1986-03-19
公开(公告)号: CN1043828A 公开(公告)日: 1990-07-11
发明(设计)人: 冲永隆幸;馆宏;尾崎弘;大宽治;古川道明;山崎康行 申请(专利权)人: 株式会社日立制作所;日立弗尔希工程株式会社
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L23/48
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利代理部 代理人: 王以平
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种半导体器件的制造方法,制备一包含多根引线的引线框架,使其内引线部分在芯片的电路形成面上延伸(在内引线部分与电路形成面之间固定有绝缘片),或使内引线部分在芯片主要非电路形成面上延伸,从而延长内引线在芯片之上或其附近的长度来改进树脂封装半导体器件中引线与封装树脂间的粘结力,而提高半导体器件的可靠性。
搜索关键词: 半导体器件 制造 方法
【主权项】:
1、一种半导体器件的制造方法,包括下列步骤:(1)制备一包含多根引线的引线框架,每根引线均有一个内引线部分和一个外引线部分;(2)把一绝缘片固定在所述引线的一个或几个内引线部分上一(3)将一其上具有多个压焊块的芯片固定在所述绝缘片上;(4)用压焊线使所述内引线部分和相应的压焊块之间实现电连接;(5)把所述芯片、所述内引线部分和所述压焊线密封在树脂内。
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