[发明专利]连续碳化硅纤维的制备方法及装置无效
| 申请号： | 90106461.0 | 申请日： | 1990-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN1035631C | 公开（公告）日： | 1997-08-13 |
| 发明（设计）人： | 石南林;常新春;夏非 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C23C16/32 | 分类号： | C23C16/32;C23C16/42;C23C16/46;C23C16/54 |
| 代理公司： | 中国科学院沈阳专利事务所 | 代理人： | 闵宪智 |
| 地址： | 110015 *** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种连续碳化硅纤维的制备方法，它由基体上沉积SiC，再在SiC纤维外表面施以碳涂层等步骤组成，其特征在于采用射频加热的方式，在反应室的两端分别通入沉积SiC和C的反应气，在反应室的中部出气；沉积SiC的反应气体原料为CH3SiCl3和CH3SiHCl2，载流气体为高纯氢气，沉积SiC的温度为1220-1350℃；SiC纤维外表面碳涂层的C2H2流量为0.4-0.51/min，稀释用H2流量为0.25-0.41/min，涂层温度为1350-1450℃。本发明无接触加热，无水银污染，加热温度均匀，且仅使用一个电源在同一反应室中一次性完成沉积SiC和在纤维外表面涂敷碳保护涂层。 | ||
| 搜索关键词： | 连续 碳化硅 纤维 制备 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种连续碳化硅纤维的制备方法，它由基体上沉积SiC，再在SiC纤维外表面施以碳涂层等步骤组成，其特征在于：(1)采用射频加热的方式，在反应室的两端分别通入沉积SiC和C的反应气，在反应室的中部出气；(2)沉积SiC的反应气体原料为CH3SiCl3和CH3SiHCl2，载流气体为高纯氢气，沉积SiC的温度为1220-1350℃；(3)SiC纤维外表面碳涂层的C2H2流量为0.4-0.5l/min，稀释用H2流量为0.25-0.4l/min，涂层温度为1350-1450℃。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
