[发明专利]采用吸附扩散源的掺杂方法无效
| 申请号： | 90107069.6 | 申请日： | 1990-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN1049572A | 公开（公告）日： | 1991-02-27 |
| 发明（设计）人： | 青木健二;西潤一 | 申请（专利权）人： | 精工电子工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223;H01L21/225 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 杨丽琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据本发明的新的掺杂方法，化学活性的半导体表而由吸附层覆盖，吸附层由在半导体中形成掺杂剂的杂质元素或含有杂质元素的化合物组成。尔后，采用吸附层作为杂质扩散源实现固相扩散，从而形成在深度方向上具有期望的浓度分布的掺杂区。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 吸附 扩散 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
1、一种掺杂的方法，包括：第一工序，除去半导体表面的隋性膜；第二工序，将气态杂质原子或含有杂质原子的气体化合物施加于半导体表面，形成杂质原子或含杂质原子的化合物的吸附层；第三工序，采用第二工序中形成的吸附层作为杂质扩散源进行固相扩散并进行杂质的活化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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