[发明专利]光学记录介质和其制造方法在审
申请号: | 90110053.6 | 申请日: | 1989-10-27 |
公开(公告)号: | CN1053688A | 公开(公告)日: | 1991-08-07 |
发明(设计)人: | 重松茂人;续山浩二 | 申请(专利权)人: | 三井石油化学工业株式会社 |
主分类号: | G03G5/00 | 分类号: | G03G5/00 |
代理公司: | 上海专利事务所 | 代理人: | 吴俊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明所揭示的是包括基体、在基体上形成的记录层和在记录层上形成的保护层的光学记录介质及其制造方法,其中记录层由一束能量照射,由此造成记录层上受照射部分的光学性能改变,以此来记录信息,其中所述记录层是包含Te和N的薄膜,如果必要,所述记录层还可进一步包含Pd。 | ||
搜索关键词: | 光学 记录 介质 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种包含基体、在基体上形成的记录层和在记录层上形成的保护层的光学记录介质,其中记录层由一束能量照射,由此造成记录层上受照射部分的光学性能改变,从而记录下信息,其中所述记录层是包含Te、Pd和N的薄膜。
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