[发明专利]具有垂直汽相淀积工艺形成的发射极的非平面场发射器件无效
| 申请号： | 91100957.4 | 申请日： | 1991-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN1057125A | 公开（公告）日： | 1991-12-18 |
| 发明（设计）人： | 戈罗肯·赫伯特;凯恩·罗伯特 | 申请（专利权）人： | 莫托罗拉公司 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;H01J1/30;H01J19/24;H01J21/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 乔晓东 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 具有锥形发射极112，208的冷阴极场发射器件，发射极用基本垂直(但不绝对垂直)的汽相淀积过程109形成，其中，衬底101，201无需相对汽相淀积靶旋转。汽相淀积过程形成一封装层111，207，它可用作完成器件中的电极或被去掉以利其它层的形成。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 垂直 汽相淀积 工艺 形成 发射极 平面 发射 器件 | ||
【主权项】：
1、一种形成基本上非平面的冷阴极场发射器件的方法，其特征在于下列步骤：a)提供一具有腔体107的坯体；b)只利用基本上垂直(但不绝对垂直)的汽相淀积工艺109在腔体内形成一发射极112，其中，腔体在汽相淀积过程中被逐渐封闭。
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