[发明专利]无引线瓷介电容局部化学镀镍或铜方法无效
申请号: | 91103379.3 | 申请日: | 1991-05-29 |
公开(公告)号: | CN1057300A | 公开(公告)日: | 1991-12-25 |
发明(设计)人: | 刘炳泗;袁维富;王国斌 | 申请(专利权)人: | 抚顺石油学院 |
主分类号: | C23C18/34 | 分类号: | C23C18/34;C23C18/40;C04B41/88 |
代理公司: | 中国石油化工总公司专利代理服务部 | 代理人: | 李艳菁 |
地址: | 113001 *** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明是对介电陶瓷,特别是无引线瓷介电容局部表面涂抹或印刷一层具有催化特性的有机载体浆料。该浆料经干燥,高温活化后,可直接化学镀镍或铜,结果在瓷介电容局部表面形成一层附着力高,介电性能好,容易焊接的金属层。用本发明所述的局部化学镀镍或铜工艺,可提高劳动生产率3倍,原料成本仅为原来的15%,并且可节省大量贵金属白银。 | ||
搜索关键词: | 引线 电容 局部 化学 方法 | ||
【主权项】:
1、一种无引线瓷介电容局部金属化方法包括对基体材料进行清洁处理,再将浆料涂覆至基体的表面,然后干燥,高温活化,经予镀后可进行化学镀镍,也可直接化学镀铜,其特征是应用具有催化特性的浆料涂覆在基体的表面。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
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