[发明专利]一种半导体器件静电放电特性的改进方法无效
| 申请号： | 91103565.6 | 申请日： | 1991-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN1062995A | 公开（公告）日： | 1992-07-22 |
| 发明（设计）人： | 柳荣益;朴侍弘 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L21/328;H01L21/322 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 杨国旭 |
| 地址： | 南朝鲜京*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明是关于改善静电放电(E.S.D)特性的方法。尤其是对于改善半导体器件E.S.D特征的方法，本发明不采用E.S.D保护图形，通过使n+区与隔离层之间的实际空间大于n+区与半导体衬底间的实际空间引入纵向击穿，从而可使E.S.D特性提高到2000伏左右。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 静电 放电 特性 改进 方法 | ||
【主权项】：
1、一种改善半导体器件E.S.D(静电放电)特性的方法，包括下列步骤：第一步，在n型外延层在半导体衬底上生长前形成，隐埋层；第二步，形成隔离层以分割n型外延层；第三步，在n型外延层上指定区域内形成P+区；第四步，在n型外延层指定区域上形成n+区。
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