[发明专利]优质金刚石单晶的生长技术无效
| 申请号： | 91107563.1 | 申请日： | 1991-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN1073616A | 公开（公告）日： | 1993-06-30 |
| 发明（设计）人： | 亓曾笃;曹振骏;周军学;陈光耀;朱德渝;陈文琍;柴文辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | B01J3/06 | 分类号： | B01J3/06;C30B29/04 |
| 代理公司： | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人： | 聂淑仪 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明是一种优质金刚石的生长技术，它是以晶体生长理论为依据所创立的新技术，属国内首创，未见国外报道。该技术在传压介质、试样组装等方面均不同于现在正在采用的技术。本发明在生长金刚石的超高压高温腔体中建立了适合金刚石生长的压力场和温度场，适合用于国内自己设计制造的六面顶超高压高温设备。 | ||
| 搜索关键词： | 优质 金刚石 生长 技术 | ||
【主权项】：
1、一种优质金刚石单晶的生长技术，采用静高压高温技术，包括采用石墨、合金、导电片、导电圈及传压介质，其特征在于：腔体采用合金-石墨相间并联式组装：在园柱形腔体中交替放置合金片5、石墨片4；合金片5与石墨片4的两端放置石墨片4和导电片2；外端放置导电环1，传压介质3作腔壁。
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