[发明专利]磁光记录的方法、设备及介质无效
| 申请号： | 91111738.5 | 申请日： | 1991-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN1023264C | 公开（公告）日： | 1993-12-22 |
| 发明（设计）人： | 大朋子 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11B11/10 | 分类号： | G11B11/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 杨国旭 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明推出了在直接改写的磁光记录中不需要初始化磁场、对介质材料成分的限制较少的磁光记录的方法、设备和介质。这种介质有两层交换耦合的RE-TM非晶层(存储层和基准层)。这两层的居里温度几乎相同，而其中只有一层是无补偿温度的富RE层。这两层直接叠合，或中间夹有一层不妨碍交换■合的中间层。在记录前，先将基准层沿一个方向磁化。能量脉冲从存储层侧射入，使得基准层温度在记录一种位数据时仍保持低于它的居里温度，而在记录另一种位数据时达到它的居里温度。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 方法 设备 介质 | ||
【主权项】：
1、一种直接改写的方法，这种方法使用了一种磁光记录介质，该介质具有两层居里温度几乎相同、而其中只有一层是无补偿温度的富稀土(RE)层的交换耦合的双层的稀土一过渡金属(RE-TM)非晶层，这两层直接叠合，或中间夹有一层不妨碍交换耦合的中间层。所述直接改写方法的特征是：(a)事先将所述两层中的一层沿一个方向磁化；(b)将所述介质移入致偏场，靠近一个激光源，经磁化的那层离该激光源比另一层远些；(c)在记录一种位数据时，向所述介质发射一个其能量能使经磁化的那层的温度仍保持低于它的居里温度、而使另一层的温度接近或高于它的居里温度的激光脉冲；(d)在记录另一种位数据时，向所述介质发射一个其能量能使这两层的温度都接近或高于它们的居里温度的激光脉冲。
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