[发明专利]半导体存储器件应力状态的自动测试设备无效
| 申请号： | 92100721.3 | 申请日： | 1992-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN1069821A | 公开（公告）日： | 1993-03-10 |
| 发明（设计）人： | 韩真晚;李钟勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34;G01L1/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,王忠忠 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种高集成度的半导体存储器件，配备有一个无需从外部加应力电压就可设定应力测试状态的设备。当外电源电压提高得超过应力电压时，大幅度提高内电源电压就可设定应力状态的触发时刻Ts。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 应力 状态 自动 测试 设备 | ||
【主权项】：
1、一种应用外电源电压和内源电压来测试半导体存储器件应力状态的电路，其特征在于，它包括：一个第一电压节点，其第一电位随所述内电源电压而变化；一个第二电压节点，其第二电位随所述外电源电压而变化；一个差分放大器连接以接收所述第一和第二电压节点的所述第一和第二电位，且有一个输出节点；一个第一绝缘栅极场效应晶体管，其栅极接所述差分放大器的所述输出节点；一个充电节点，与所述第一绝缘栅极场效应晶体管沟道的一端连接，且具有随所述外电源电压而变化的第三电位；和一个触发节点，与所述第一绝缘栅极场效应晶体管的所述沟道的另一端连接。
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