[发明专利]金属氧化物半导体混成静态感应半导体闸流管

摘要

在ＭＯＳ混成Ｓ１闸流管中，以级联关系联在Ｓ１闸流管单元上的Ｓ１闸流管单元、ＭＯＳ晶体管和稳压元件被合并集成在单一芯片上。Ｓ１闸流管单元具有高杂质浓度第一导电类型的阴极区、高杂质浓度第二导电类型的栅极区和低杂质浓度第一导电型的沟道区。ＭＯＳ管具有与阴极区相同的漏极区，一在沟道区附近形成的第二导电型的阱或基极以及高杂质浓度第一导电型的源极区。在阱或基极上形成源极区。稳压元件含第二导电型的第一半导体区和第一导电型的第二半导体区，二者都具高杂质浓度。

主权项

1．一种MOS混成静态感应闸流管，其特征在于，它包括：一个SI闸流管单元，该单元带有一个具有高杂质浓度的第一导电性类型的阴极区，还带有具有高杂质浓度的第二导电性类型的阳极区和栅极区以及具有低杂质浓度的第一导电类型的沟道区；一个MOS晶体管，该晶体管具有一个与所述阴极区相同的漏极区，一个在所述沟道区附近形成的第二导电类型的阱，在所述阱中形成具有高杂质浓度的第一导电类型的源极区，一个在所述源极区和漏极区之间所述井区表面形成的栅极绝缘膜，和在所述栅极绝缘膜上形成的MOS栅极；一个稳压元件，它带有一具有高杂质浓度的第二导电类型的第一半导体区，和一具有高杂质浓度的第一导电类型的第二半导体区；其中所述第一半导体区和所述源极区被第一导线层相连，而所述第二半导体区和所述栅极被第二导线层相连，所述第二导线层包括对所述栅极区的基底的连接；其中所述SI闸流管单元、所述MOS晶体管和所述稳压元件被合并集成在单一芯片上；其中控制电压被加到所述MOS栅极上，故所述阳极和阴极区之间的主电流流动是受控的。