[实用新型]耐高压隔离式霍尔效应位移传感器无效
| 申请号： | 92238485.1 | 申请日： | 1992-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN2141888Y | 公开（公告）日： | 1993-09-08 |
| 发明（设计）人： | 赵国军;杨华勇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G01B7/02 | 分类号： | G01B7/02 |
| 代理公司： | 浙江大学专利代理事务所 | 代理人： | 林怀禹 |
| 地址： | 3100*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种耐高压隔离式霍尔效应位移传感器，它包括有装在非导磁体密封隔离套内的导磁体滑动芯棒，隔离套上装有二块导磁体，在二块导磁体形成的间隙内，左、右分别安装磁钢和霍尔元件、放大器电路板，芯棒在封闭式的隔离套内作轴向运动，改变霍尔元件表面磁感应强度，输出信号经放大后，输出正比于位移的电压值，因此具有强的抗干扰能力、高频响、高精度，并且结构简单，使用可靠，适用于高压容器内的液面、大位移检测。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 隔离 霍尔 效应 位移 传感器 | ||
【主权项】：
1、一种耐高压隔离式霍尔效应位移传感器，本实用新型的特征是，它包括装在非导磁隔离套[2]内的导磁体滑动芯棒[1]，在非导磁体外壳[4]内的隔离套[2]上装有二块导磁体[6]，在二块导磁体[6]下端形成的间隙内，左、右分别装有磁钢[5]和霍尔元件、放大器电路。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学，未经浙江大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/92238485.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
