[发明专利]故障随机存取存贮器的再利用方法

摘要

本发明为一种故障随机存贮器的再利用方法，它是用两个三态门分别寻找出损坏在左半区、右半区的DRAM，开关的输出端接有DRAM，输入端接有可使能此DRAM的信号，控制端则接有此DRAM的最高位地址信号；另有两个可被高电位及低电位触发导通的三态门，可被高电位触发导通的三态门的输出端接有内部损坏在左侧的DRAM，而可被低电位触发导通的三态门的输出端接有内部损坏在右侧的DRAM。

主权项

1.一种故障随机存取存贮器的再利用方法，可将两组分别损坏在左半区域及右半区域的存贮器重新组合，成为可再被使用的存贮器，其特征在于其包括下列步骤：首先，提供一电子线路以分别找寻出损坏在左半侧地址区域及损坏在右半侧地址区域的RAM，此电子线路包括：两个开关装置，此两开关装置的控制端可控制开关装置输入、输出端的导通与否，其中一个可被高电位触发导通，另一个则可被低电位触发导通，开关的输出端接有RAM，输入端接有可使能(ENABLE)此RAM的信号，控制端则接有此RAM的最高位地址信号；当在可被高电位触发导通的开关串接一良好的RAM，而在可被低电位触发导通的开关中接一损坏的RAM，而此损坏的RAM仍能处理信号的读取动作时，则此损坏的RAM损坏在右半侧；当在可被低电位触发导通的开关串接一良好的RAM，而在可被高电位触发导通的开关串接一损坏的RAM，而此损坏的RAM仍能处理信号的读取动作时，是此损坏的RA则损坏在左半侧；其次，再提供两个分别可被高电位及低电位触发导通的开关电路，其中可被高电位触发导通的开关的输出端接有内部损坏在左侧的RAM，而可被低电位触发导通的开关的输出端则接有内部损坏在右侧的RAM，此两个开关的输入端则接有可使能(ENABLE)此RAM的信号，两个开关的控制端则接有此RAM的最高位地址信号；通过此方法，RAM的最高位地址信号就会使开关电路依次通断，因此可依次使能两组RAM，使之成为可以再利用的一组RAM。