[发明专利]半导体存贮器的老化起动电路及老化测试方法

摘要

一个半导体存储器的老化启动电路和老化测试方法。该老化测试模式依靠在半导体芯片多个管脚中的一个特定管脚上加载高于外部电源电压的高电压来进行。在该老化测试中，芯片中字线的复位操作被关闭，而高电压被依次加载到所有可访问的晶体管上。在这种情况下，一旦选通一字线，该字线便能持续保持此状态，同时所有字线也被置为逻辑“高”状态。这样，即可大大缩短老化时间并可获得一可靠的老化测试。

主权项

1．一种半导体存储器件的老化测试方法，该器件具有多个管脚及多条字线，当对半导体器件进行老化测试时，提高字线驱动信号电压，并将该信号施加到各单元晶体管上，其特征在于，该方法包括如下步骤：通过将一高于所述器件工作电压的电压加到所述半导体的一个预定管脚上来产生一个老化启动信号；用一个与第一行地址选通信号同步输入的行地址来选通第一字线；利用所述老化启动信阻断一字线驱动器的复位操作；用一个与第二行地址选通信号同步输入的行地址来选通第二字线；及通过关断所述老化启动信号来关断所述第一和第二字线。