[发明专利]动态RAM及使用该RAM的信息处理系统无效
| 申请号： | 94100573.9 | 申请日： | 1994-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN1092898A | 公开（公告）日： | 1994-09-28 |
| 发明（设计）人： | 梶谷一彦;高桥继雄;大一义;中村正行;大鸟浩;松本哲郎;河原尊之 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | G11C21/00 | 分类号： | G11C21/00;H01L27/108 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 范本国 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种采用对成对MOSFET特性偏差进行补偿的读出放大器的动态RAM，位线的寄生电容至少是存储单元的电容的20倍。每根位线被开关MOSFET分成两部分，需要时可以断开。电路中提供了许多组存储器矩阵，每一组包括一个开关MOSFET，用于互连与读出放大器相连的公共源极线，因此在它们之间可以对公共源极线进行循环充电。 | ||
| 搜索关键词： | 动态 ram 使用 信息处理 系统 | ||
【主权项】：
1、一种动态RAM，包括一对互补位线，与所述互补位线对相连的多个动态存储单元，以及与所述互补位线对相连、用于检测所述互补位线对之间的电位差的读出放大器；其中所述读出放大器包括分别与所述互补位线对相连的一对MOSFET，其中所述动态RAM进一步包括补偿所述MOSFET对之间的阈值差的补偿装置。
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