[发明专利]半导体存储器件

摘要

一种半导体存储器，包括一由双极晶体管构成的电流驱动晶体管，其连接到相应的位线以增加位线电流。该电流驱动晶体管的收集极由一个接地的阱构成，基极由二个相邻选行晶体管的公共漏区构成。其发射极是一与第一层间隔离层及第二层间隔离层分开排列的多晶硅层，它通过接触孔同时被接到基区和位线。该发射极是形成在作为二个相邻选行晶体管公共漏区的基区中的一个掺杂区。这种存储器件具有提高运行速度和提高集成度的能力。

主权项

1.一种半导体存储器件，它包含多个字线和多个位线，其特征在于还包括：多个电流驱动晶体管，它们各有一个发射极、一个收集极和一个基极，其中的发射极与相应的位线相连接而收集极接地；以及多个由许多存储单元组成的行，这些存储单元串连在相应电流驱动晶体管的基极和地之间，其中每一个存储单元都由根据预定的程序从一个第一存储单元和一个第二存储单元中选出的一个所构成，第一存储单元与相应的字线信号无关而处于“通”，而第二存储单元根据相应的字线信号可在“通”和“断”之间转换。