[发明专利]钛酸锶基晶界层电容器材料制造方法

摘要

本发明介绍了电容器用ＳｒＴｉＯ＃-[3]基晶界层电容器材料的制造方法,与以往的方法相比，在选料方面，采用草酸氧钛锶经热分解获得严格按化学配比的ＳｒＴｉＯ＃-[3]原料，其ＳｒＯ与ＴｉＯ＃-[2]的摩尔比严格为１∶１，而这一比值对控制配方组成，进而对晶粒生长，半导化性质及最终介电性能有很大影响，又由于添了Ｌｉ＃-[2]ＣＯ＃-[3]助烧结剂，降低了烧结温度４００～２００℃，晶界绝缘化处理方面，采用了含有ＣｕＯ的扩散源，大大简化了工艺，降低了成本，最终，改进了产品的介电性能。

主权项

权制要求书1、电容器用SrTiO3基晶界层电容器材料制造方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：①选用草酸氧钛锶为原料，在900℃～1000℃温度范围内进行热分解，获得SrTiO3粉料：②按下列配方配料：在1molSrTiO3中加入TiO2或SrCO3，TiO2的添加量在0.03～0.005mol，SrCO3的添加量在0.005～0.04mol范围内，即TiO2/SrO的摩尔比在1.03～0.96范围内调节，然后添加0.003～0.015mol的Nb2O5作为施主杂质，再加入Li2CO3、LiNO3或LiF中的一种或两种作为助烧结剂，添加量分别为0.00745～0.0994mol、0.00798～0.1065mol、0.0212～0.283mol：③在900℃～1250℃温度范围内、N2+H2流动气体中进行半导化烧结；④晶界绝缘化：采用气相扩散工艺进行晶界绝缘化，CuO或PbO中的一种或两种与Al2O3混合制成园筒或分层筒体作为气相扩散源，扩散温度为1000～1250℃，介质为空气，从而得到SrTiO3基晶界层电容器材料。