[发明专利]制造高集成度半导体器件的方法

摘要

一种制造高集成度半导体存储器件的方法。在半导体衬底上形成第一导电层，于其上形成一第一图形。在已形成有第一图形的结构上形成第一材料层，并对其进行各向异性腐蚀以在第一图形侧面上形成分隔层。用分隔层作腐蚀掩模对第一导电层进行腐蚀后清除第一图形。在所得结构上形成第二导电层并对其进行各向异性腐蚀。清除分隔层以形成电容器的存储电极。相邻电容器之间的距离可小于光刻工艺所限定的值，从而可使电容器的面积尽可能大。

主权项

1.一种制造高集成度半导体存储器件的方法，包含下列步骤：在形成有半导体元件的衬底上相继形成绝缘层、平面化层、腐蚀阻挡层和牺牲层；部分腐蚀上述牺牲层、腐蚀阻挡层、平面化层和绝缘层，以形成用于连接半导体衬底上某一区域的接触孔；在形成了上述接触孔的半导体衬底上形成一个第一导电层；在上述第一导电层上形成由光刻胶组成的第一图形；在其上已形成上述第一图形的结构上形成一个第一材料层；对上述第一材料层进行各向异性腐蚀，以在上述第一图形侧面上形成一个间隔层；用上述间隔层作为腐蚀掩模，对上述第一导电层进行腐蚀；清除上述第一图形；在所得结构上形成一个第二导电层；对上述第二导电层进行各向异性腐蚀；以及清除上述间隔层以形成电容器的存储电极。