[发明专利]利用磁场的微波增强型CVD系统和方法无效
| 申请号： | 94106741.6 | 申请日： | 1986-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN1053230C | 公开（公告）日： | 2000-06-07 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | C23C16/50 | 分类号： | C23C16/50;H01J37/32 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 萧掬昌,张志醒 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明展示一种改进的化学气相淀积法；在这种方法中，回旋共振与光或等离子体化学气相淀积法相配合，以高的淀积速度淀积具有高性能的薄膜。高淀积速度归因于回旋共振，而高质量性能归因于两种化学气相淀积法（ＣＶＤｓ）的组合。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 磁场 微波 增强 cvd 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置，其特征在于包括：一反应室；一气体引进装置，将一处理气体引进该反应室；一微波发射装置，将微波射入该反应室；一磁场施感装置，在反应室中施感磁场而形成电子回旋共振，以便将所说处理气体转变为等离子体；一衬底，具有一待处理的表面，且被放置在反应室中；以及抽气装置，将所说反应室抽空，所说抽气装置包含一个插置在反应室和一真空泵之间的涡轮分子泵。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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