[发明专利]用碳化硅与金属合成金刚石的方法无效
| 申请号： | 94111620.4 | 申请日： | 1994-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN1048420C | 公开（公告）日： | 2000-01-19 |
| 发明（设计）人： | 洪时明 | 申请（专利权）人： | 成都科技大学 |
| 主分类号： | B01J3/06 | 分类号： | B01J3/06 |
| 代理公司： | 成都科技大学专利代理事务所 | 代理人： | 黄幼陵 |
| 地址： | 61006*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种用碳化硅与金属合成金刚石的方法，以SiC为碳源，以纯金属Mn、Fe、Ni，Co基合金，Mn基合金，Ni基合金，Fe基合金，Cu-Nb合金及上述合金基础上添加其它元素形成的多元合金中的一种为触媒；采用旁热式粉末混合或积层接触工艺，压力为３～５．５ＧＰａ，温度为６００～１５００℃，保温时间为５秒～２０分钟。此种方法合成的金刚石晶体生长对称、完整、等积形晶体比例高，不易相互干扰形成连晶。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 金属 合成 金刚石 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用碳化硅与金属合成金刚石的方法，采用旁热式粉末混合或积层接触工艺，其特征在于：①以SiC为碳源，以纯金属Mn、Fe、Ni，Co基合金，Mn基合金，Ni基合金Ni-Cr、Ni-Fe、Ni-Mn、Ni-Cr-Fe、Ni-Co-Fe，Fe基合金Fe-Al，Cu-Nb合金及上述合金基础上添加其它元素形成的多元合金中的一种为触媒，SiC与触媒的比例为1∶1～1∶16，②压力为3～5.5GPa，③温度为600～1500℃，④保温时间为5秒～20分钟。
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