[发明专利]用于高速电导调制功率器件的隧道结键合单晶衬底无效
| 申请号： | 94111996.3 | 申请日： | 1994-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN1035347C | 公开（公告）日： | 1997-07-02 |
| 发明（设计）人： | 李肇基;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/18 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利事务所 | 代理人： | 严礼华 |
| 地址： | 610054 *** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的特征是采用含有隧道结直接键合(TJB)单晶衬底代替了以往的异性高阻硅厚外延片，并给出了TJB层的设计规则。在本发明提供的TJB单晶衬底上采用常规的电导调制功率器件制作工艺，就可制得各种相对应的高速全耐压范围的电导调制功率器件和高速智能功率集成电路。这不仅使器件速度提高，且使工艺简单、制作容易、成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 高速 电导 调制 功率 器件 隧道 结键合单晶 衬底 | ||
【主权项】：
1、一种用于高速电导调制功率器件的隧道结键合(TJB)单晶衬底，其特征是在N-(1)(或P-)单晶的一抛光面上有由离子注入或杂质扩散形成的高浓度P+(3)/N+(4)/P+(3)(或N+/P+/N+)相间组成的一个层，并在这层的表面直接键合P+(或N+)单晶层(2)，其中N+区(4)(或P+区)与周围的P+区(3)(或N+区)及直接键合的P+(或N+)(2)单晶间形成的隧道结与P+单晶(2)(或N+单晶)一起组成复合的隧道阳极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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