[发明专利]具有金属氧化物电介质的电容器

摘要

公开了包括ＤＲＡＭ和ＮＶＲＡＭ单元（１００，１４０）的器件及其制造方法。形成一种带有金属氧化物介电层的电容器，电容器的上电极层与下层电路元件相连。电容器可以用来形成ＤＲＡＭ单元和ＮＶＲＡＭ单元的存储电容器。下层电路元件形成后，在电路元件上形成晶体管的源／漏区、金属氧化物电容器。形成开孔贯穿电容器并延伸到电路元件。形成绝缘隔层，并形成导电部件，这些导电部件将电路元件电气连接到金属氧化物电容器的上电极层。

主权项

1.一种存储器，其特征在于包括：一个电路元件；覆盖在该电路元件上的电容器，其中，电容器包括金属氧化物介电层和电极，该电容器的所有电极均由第一电极和第二电极组成；该金属氧化物介质位于第一电极和第二电极之间；所有第一电极的高度均不高于第二电极；所有第二电极的高度均不低于第一电极；以及一个导电部件，该导电部件与电路元件及第二电极互相电连接，其形状做成延伸通过第一电极和金属氧化物介质层。